第三代半导体

第三代半导体材料是以氮化镓、碳化硅等为代表的半导体材料，又称宽禁带半导体，是制备可见与紫外光电子器件、射频功率电子器件的理想半导体材料，它相比于前两代具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性。第三代半导体材料可以实现更好的电子浓度和运动控制 ，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。目前，市场火热的5G基站、新能源汽车和快充等都是第三代半导体的重要应用领域。照明是第三代半导体技术的第一大舞台。LED照明灯是用第三代半导体材料GaN制造的，是一种有效的节能减排技术。而我国也在这一块领域有很大优势，借助巨大的时长和对白炽灯的限制大量推广LED照明灯，给许多家庭和国家节约了大量的电能。