对于特征尺寸为1um的光刻机，如何能在制作器件工艺过程中达到极限尺寸?

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这与你们曝光机采用的曝光模式有关系。由光源发出的光束,经掩膜在光致抗蚀剂涂层上成像,即为曝光。这种曝光称之为投影曝光,又称为复印。常用的光源有电子束、离子束、X射线和极紫外线等。从极紫外线等。投影方式上可分为接触式、接近式和反射式等。还有一种曝光是将光束聚焦形成微小束斑,通过扫描在光致抗蚀剂涂层上绘制图形,这种曝光称之为扫描曝光,又称为写图。这种曝光不需要预制工作原版,但要设计编制扫描轨迹程序,常用的光源有电子束、离子束。

掩膜直接与晶片接触实现曝光的,叫接触式曝光；掩膜与晶片保持一间隙实现曝光的,叫接近式曝光。接触式曝光技术比较简单，能获得较高分辨率(约1μm)，但掩膜与晶片间容易夹入灰尘颗粒，造成掩膜永久性损伤,降低成品率。接近式曝光不会带来灰尘颗粒损伤,但掩膜和晶片间的间隙(一般为10～50μm)能导致光衍射误差，降低分辨率。

以我们公司自己的机台为例，使用接触式曝光，分辨率可以达到0.8um，但使用接近式曝光，分辨率只能达到3.8um。所以要想达到光刻机的极限，要使用接触模式。

特别提醒：因为光刻胶和掩膜是直接接触的，所以掩膜被污染是不可避免的，所以每完成1到两次光刻就需要清洗掩膜板。如果还有其它问题，欢迎提问，一起讨论。