原创力文档- 1、本文档共5页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
四探针法测量应变Si1-x Gex 掺杂浓度
2003 4 () Apr.2003
30 2 J OURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY Vol.30 No.2
Si Ge
1-x x
1 1 1 2
戴显英, 王 伟, 张鹤鸣, 何 林,
2 1 1
张 静, 胡辉勇, 吕 懿
(1.西安电子科技大学 微电子研究所, 陕西 西安 710071;
2.信息产业部 电子24 所, 重庆 400060)
:在对Si Ge 材料多子迁移率模型分析基础 , 建立了Si Ge 材料电阻率与其Ge 组分、掺杂
1-x x 1-x x
浓度关系的曲线图谱.经过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究, 提出了采用四探针
法表征Si Ge 材料掺杂浓度的技术.该表征技术与Si 材料掺杂浓度的在线检测技术相容, 且更加简
1-x x
捷.通过实验及对Si Ge 材料样品掺杂浓度的现代理化分析验证了其可行性.
1-x x
:Si Ge 材料;迁移率模型;电阻率;掺杂浓度;四探针
1-x x
:TN304.07 :A :1001-2400(2003)02-0255-04
Measurement of doping concentration in strained
Si1-x Gex with four-probe array
1 1 1 2
DAI X ian -ying , WAN G Wei , ZHANG He-ming , HE L in ,
2 1 1
ZHANGJ ing , HU Hui-yong , L Yi
(1.Research Inst.of icroelectronics, Xidian Univ., Xi′an 710071, China;
2.Sichuan Inst.of Solid-State Circuits, Chongqing 400060, China)
Abstract: Based on a new majority carrier mobility model of the strained Si Ge material, the relation between
文档评论（0）