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更新时间:2024-05-20 19:04:10
首页 > 分立器件 > 晶体管 > 双极性晶体管 > BDP949
  • 符合RoHS规范
  • 无铅
  • SOT-223-4
    封装:SOT-223-4
  • 在产
    生命周期:在产
  • 2006年
    发布时间:2006
  • 参考价格:
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BDP949 全球供应商

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BDP949 中文资料规格参数

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技术参数
额定功率
5 W
针脚数
3
极性
NPN
耗散功率
3 W
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
3A
最小电流放大倍数(hFE)
25
直流电流增益(hFE)
85
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
5 W
封装参数
安装方式
Surface Mount
引脚数
3
封装
SOT-223-4
外形尺寸
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.6 mm
封装
SOT-223-4
物理参数
工作温度
-65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
符合标准
RoHS标准
RoHS Compliant
含铅标准
Lead Free
REACH SVHC标准
No SVHC
REACH SVHC版本
2015/12/17
产品概述

INFINEON  BDP949  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 3 W, 3 A, 85 hFE

通用 NPN 晶体管Infineon

### 双极晶体管,Infineon


欧时:
Infineon BDP949 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:25, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装


e络盟:
INFINEON  BDP949  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 3 W, 3 A, 85 hFE


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BDP949 数据手册

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BDP949 数据手册Datasheet PDF 4
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BDP949 代替型号 更多代替型号

器件图
型号
制造商
品名
代替类型
描述
PDF
对比
BDP949
BDP949
Infineon (英飞凌)
双极性晶体管
当前型号
INFINEON  BDP949  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 3 W, 3 A, 85 hFE
当前型号
BDP949
BDP949
西门子
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
NPN Silicon AF Power Transistors (For AF drivers and output stages High collector current High current gain)
BDP949和BDP949区别
P94
P94
英飞凌
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4
BDP949和P94区别
P94
P94
西门子
功能相似 器件功能特性相符,但主要参数不一致,对电路结构修正,可进行代换。如更换,请务必阅读数据文档
Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
BDP949和P94区别
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